鑫天虹(厦门)科技有限公司林俊成获国家专利权
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龙图腾网获悉鑫天虹(厦门)科技有限公司申请的专利具有钝化层的量子点粒子及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115491189B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110671701.8,技术领域涉及:C09K11/02;该发明授权具有钝化层的量子点粒子及其制作方法是由林俊成;张容华设计研发完成,并于2021-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有钝化层的量子点粒子及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明为一种具有钝化层的量子点粒子及其制作方法,主要包括至少一量子点粒子、至少一第一钝化层及至少一第二钝化层,其中第一钝化层设置在量子点粒子的表面,而第二钝化层则设置在第一钝化层的表面。形成第一钝化层的前驱物不包括水,可避免粉末在沉积过程中因为接触水而受潮。在第一钝化层表面形成第二钝化层,其中第二钝化层的前驱物则包括三甲基铝及水,且第二钝化层的密度较第一钝化层高。第二钝化层的前驱物会被第一钝化层隔离,使得粉末不会接触水而造成受潮变质,可提高量子点粒子的制程良率及生命周期。
本发明授权具有钝化层的量子点粒子及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种具有钝化层的量子点粒子,其特征在于,包括: 至少一量子点粒子; 一第一钝化层,设置在该量子点粒子的一表面;及 一第二钝化层,设置在该第一钝化层的一表面,使该第二钝化层的密度大于该第一钝化层,其制备方法包括: 提供该至少一量子点粒子; 对该量子点粒子进行一分子层沉积,并于该量子点粒子的该表面形成该第一钝化层;及 对该量子点粒子进行一原子层沉积,并于该第一钝化层的该表面形成该第二钝化层,其中该原子层沉积的一前驱物为三甲基铝及水; 其中该分子层沉积使用的一前驱物为三甲基铝及醇类。
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