西安电子科技大学张春福获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利金属电极保护层的激光刻蚀钙钛矿探测器阵列及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211060654.4，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权金属电极保护层的激光刻蚀钙钛矿探测器阵列及制备方法是由张春福;巴延双;朱卫东;习鹤;陈大正;郝跃设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属电极保护层的激光刻蚀钙钛矿探测器阵列及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属电极保护层的激光刻蚀钙钛矿探测器阵列及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：衬底；金属电极，位于衬底的一侧，且阵列排布；金属走线，位于衬底的一侧，与金属电极位于同层，且金属电极通过金属走线电连接；保护层，位于金属电极和金属走线背离衬底的一侧；在采用激光刻蚀过程中，保护层用于保护金属电极和金属走线；光吸收层，位于保护层背离衬底的一侧。本申请可实现在激光刻蚀的过程中对金属电极和金属走线进行保护，拓宽了激光刻蚀阵列的工艺窗口，提高了光电探测器阵列的探测精度。
本发明授权金属电极保护层的激光刻蚀钙钛矿探测器阵列及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属电极保护层的激光刻蚀钙钛矿探测器阵列的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，并对所述衬底进行清洗； 在所述衬底上制作金属电极和金属走线；所述金属电极与所述金属走线一体成形； 在所述金属电极和所述金属走线上制作保护层；所述保护层仅覆盖所述金属电极和所述金属走线，且不覆盖所述金属电极之间的衬底； 在所述保护层上依次沉积溴化铅和溴化铯，待所述溴化铅和所述溴化铯充分反应后，形成光吸收层； 采用激光刻蚀所述光吸收层，完成探测器阵列的制备。
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