深圳大学周晔获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种垂直晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472504B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211154989.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种垂直晶体管及其制备方法是由周晔;周奎;韩素婷设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明所提供的一种垂直晶体管及其制备方法，其中，所述制备方法包括步骤：将石墨烯薄膜转移至衬底上，并在所述衬底上图案化所述石墨烯薄膜，在所述石墨烯薄膜上制备二维氧化物层，在所述石墨烯、所述二维氧化物层和所述衬底上制备金属电极，制得所述垂直晶体管；其中，所述二维氧化物层包括不同掺杂比例的单层二维氧化物或者异质结构的多层二维氧化物。本发明的垂直晶体管将二维氧化物层作为沟道层，通过对二维氧化物层进行金属掺杂或形成异质结构的二维氧化物层，从而调控其掺杂金属比例，并提高二维氧化物层的稳定性，从而有效调控垂直晶体管沟道载流子性质，实现更高的开态电流和开关比。
本发明授权一种垂直晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤： 将石墨烯薄膜转移至衬底上，并在所述衬底上图案化所述石墨烯薄膜；其中，所述衬底包括硅衬底栅极电极和设置于所述硅衬底栅极电极上的栅极介电层； 在所述石墨烯薄膜上制备二维氧化物层； 在所述石墨烯薄膜、所述二维氧化物层和所述衬底上制备金属电极，制得所述垂直晶体管； 其中，所述二维氧化物层包括不同掺杂比例的单层二维氧化物或者异质结构的多层二维氧化物； 在所述石墨烯薄膜上制备二维氧化物层的步骤包括：采用液态金属在所述石墨烯薄膜上印刷制得二维氧化物层；通过调整液态金属的成分调控二维氧化物的金属掺杂比例或者通过交替印刷不同成分的液态金属制得异质结构的多层二维氧化物。
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