华为技术有限公司张裕华获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种场效应晶体管、其制作方法、开关电路及电路板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180031379.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种场效应晶体管、其制作方法、开关电路及电路板是由张裕华;柯行飞;周鸣涛;杨梦琦;许高潮设计研发完成，并于2021-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种场效应晶体管、其制作方法、开关电路及电路板在说明书摘要公布了：本申请提供一种场效应晶体管、其制作方法、开关电路及电路板，该制作方法可以包括：提供一场效应晶体管，对场效应晶体管进行辐照处理；在设定时长内向场效应晶体管的漏极施加设定电流，并向场效应晶体管的栅极和源极施加相同的设定电压；设定电压为接地电压或反向电压。这样，可以使场效应晶体管处于关断的反偏状态，并在绝缘氧化层、绝缘氧化层与半导体衬底的界面处产生电子空穴对，这些电子空穴对可以与陷阱电荷复合，从而修复辐照处理产生的陷阱电荷，因此，可以降低漏极的漏电流，提高漏电流的均一性，提高源极和漏极耐压性的收敛性。此外，通过向场效应晶体管的栅极和源极施加相同的设定电压，可以防止场效应晶体管在反偏状态下被击穿。
本发明授权一种场效应晶体管、其制作方法、开关电路及电路板在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括： 提供场效应晶体管，对所述场效应晶体管具有栅极和源极的一侧进行辐照处理；所述辐照处理包括：电子辐照、质子辐照或中子辐照； 在设定时长内向所述场效应晶体管的漏极施加设定电流，并向所述场效应晶体管的栅极和源极施加相同的设定电压；所述设定电压为接地电压或反向电压；其中，所述接地电压为相对于地电压为0的电压；所述反向电压为与正向导通电压的数值相反的电压。
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