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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利解决非易失性存储器结构中相邻平面干扰条件的对策模式获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458018B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110641053.1，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权解决非易失性存储器结构中相邻平面干扰条件的对策模式是由H·陈;C·徐;李靓;田璇;张芳林;殷冠华设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本解决非易失性存储器结构中相邻平面干扰条件的对策模式在说明书摘要公布了：一种用于对经历相邻平面干扰的非易失性存储器的无缺陷平面进行编程的对策方法，包括：一经确定第一平面已完成当前状态的编程但其中并非全部平面均已完成编程，循环计数递增并且确定循环计数是否超过阈值。如果是，则停止编程多个未完成平面，并通过暂停循环计数和比特扫描模式来恢复编程多个完成的平面，并在下一个编程脉冲上施加预定的回滚电压以减少编程电压偏置。当循环计数最后递增时，一旦阈值电压电平等于编程电压偏置，恢复循环计数和比特扫描模式。BSPF标准适用于每个编程的状态。只有在确定编程的状态未完成时才会前进到下一个循环。

本发明授权解决非易失性存储器结构中相邻平面干扰条件的对策模式在权利要求书中公布了：1.一种用于对经历相邻平面干扰条件的非易失性存储器结构的无缺陷存储器平面进行编程的对策方法，所述方法包括： 根据初始编程序列，发起当前编程状态的编程脉冲并且随后发起编程验证操作； 根据比特扫描通过失败标准，发起比特扫描模式； 根据所述比特扫描通过失败标准，一经确定存储器结构的第一存储器平面已完成当前编程状态的编程，确定所述存储器结构的全部存储器平面是否已完成所述当前编程状态的编程； 如果不是全部存储器平面都已完成所述当前编程状态的编程，则递增循环计数并确定所述循环计数是否超过预定阈值； 如果所述循环计数超过所述预定阈值： 则停止编程具有所述当前编程状态的未完成编程的一个或多个存储器平面； 通过以下来恢复具有所述当前编程状态的已完成编程的一个或多个存储器平面的编程： 暂时暂停所述循环计数和比特扫描模式； 根据所述初始编程序列，在下一个编程脉冲上施加预定回滚电压值以递减在所述编程脉冲期间原本预期的编程电压偏置电平； 一旦编程的阈值电压电平等于当所述循环计数最后递增时达到的编程电压偏置电平，就恢复所述循环计数和比特扫描模式； 对于每个编程的状态应用所述比特扫描通过失败标准；以及 根据所述比特扫描通过失败标准，仅在确定编程的状态未完成时才前进到下一个编程循环。

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