上海精测半导体技术有限公司董诗浩获国家专利权
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龙图腾网获悉上海精测半导体技术有限公司申请的专利一种光声测量设备及膜厚测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115451843B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211157123.7，技术领域涉及：G01B11/06；该发明授权一种光声测量设备及膜厚测量方法是由董诗浩;杜航;李仲禹设计研发完成，并于2022-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光声测量设备及膜厚测量方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光声测量设备，包括：光发射器、控制器、图像采集部件和探测部件；所述光发射器用于产生激发光和探测光；所述探测部件包括一维位置传感器或二维位置传感器，用于接收所述被测物反射的探测光束，以至少得到所述反射的探测光束偏移量；所述图像采集部件，用于获取所述激发光和所述探测光在所述被测物表面光斑的图像；所述控制器，用于接收所述图像，以确定激发光光斑和探测光光斑在所述被测物表面上位置的相对方位，并根据所述相对方位，控制所述探测部件选择所述一维位置传感器或所述二维位置传感器；获取所述被测物的待测参数。通过位置探测器得到更高信噪比的光声信号，从而获得更高膜厚重复测量精度。
本发明授权一种光声测量设备及膜厚测量方法在权利要求书中公布了：1.一种光声测量设备，其特征在于，包括：光发射器、控制器、图像采集部件和探测部件；所述光发射器用于产生激发光和探测光； 所述激发光沿激发光光路投射至被测物的测量区域，所述探测光沿探测光的光路投射至所述测量区域； 所述探测部件包括一维位置传感器或二维位置传感器，用于接收所述被测物反射的探测光束，以至少得到所述反射的探测光束偏移量，其中，所述一维位置传感器和二维位置传感器可切换或可替代； 所述图像采集部件，用于获取所述激发光和所述探测光在所述被测物表面光斑的图像； 所述控制器，用于接收所述图像，以确定激发光光斑和探测光光斑在所述被测物表面上位置的相对方位，并根据所述相对方位，控制所述探测部件选择所述一维位置传感器或所述二维位置传感器； 所述控制器，还用于根据所述探测部件的输出信号，获取所述被测物的待测参数。
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