东京毅力科创株式会社上田博一获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利半导体装置的制造方法、半导体制造装置和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115443523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180029630.X，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权半导体装置的制造方法、半导体制造装置和系统是由上田博一;岩下光秋;梅下尚己;饭塚洋二;早川崇;关口贤治;秋山浩二设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法、半导体制造装置和系统在说明书摘要公布了：本公开的一方式涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：在基板上涂布包含离子液体的液体材料以形成保护膜的工序；将形成有上述保护膜的上述基板进行大气输送的工序；以及从被大气输送的上述基板除去上述保护膜的工序。
本发明授权半导体装置的制造方法、半导体制造装置和系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其具有下述工序： 在基板上涂布包含离子液体的液体材料以形成保护膜的工序； 将形成有所述保护膜的所述基板进行大气输送的工序；以及 从被大气输送的所述基板除去所述保护膜的工序， 除去所述保护膜的工序包括通过将所述基板进行加热，使所述离子液体相转变，然后使所述基板水平移动。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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