西安电子科技大学郑雪峰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种高击穿双极场限环结构的氧化镓肖特基二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211051196.8，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种高击穿双极场限环结构的氧化镓肖特基二极管及制备方法是由郑雪峰;洪悦华;张超;张方;何云龙;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高击穿双极场限环结构的氧化镓肖特基二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高击穿双极场限环结构的氧化镓肖特基二极管及制备方法，主要解决现有同类器件击穿电压低的问题。其自下而上包括：阴极1、衬底2、外延层3和阳极6，所述衬底2和外延层3，均采用n型掺杂的氧化镓材料，该氧化镓外延层3上表面的阳极外部依次设有p型场限环4和n型场限环5，且n型场限环5位于p型场限环4的上部，两者采用不同的半导体材料，以与氧化镓外延层形成异质双极结构场限环。本发明相对现有的二极管极大的提高了器件的击穿电压性能，可用于高耐压大功率电力电子系统。
本发明授权一种高击穿双极场限环结构的氧化镓肖特基二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高击穿双极场环结构氧化镓肖特基二极管，自下而上包括：阴极1、衬底2、外延层3和阳极6，其特征在于： 所述衬底2和外延层3，均采用n型掺杂的氧化镓材料，以提高击穿场强； 所述氧化镓外延层3上部表面的阳极边缘处沉积有p型场限环4和n型场限环5，且n型场限环4位于p型场限环的上部，p型场限环4与n型场限环5采用不同的半导体材料；以与氧化镓外延层形成异质双极结构场限环，提进一步高器件的击穿电压。
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