华虹半导体(无锡)有限公司管玉东获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376912B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210986824.5，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权刻蚀方法是由管玉东;吴长明;冯大贵;王瑞环设计研发完成，并于2022-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种刻蚀方法，包括：在介质层上通过光刻工艺覆盖光阻，暴露出目标区域；进行刻蚀，刻蚀至目标区域的介质层中的预定深度，形成多种类型的沟槽，多种类型的沟槽包括第一沟槽，第一沟槽是OVL标记对应的沟槽，在刻蚀过程中通过控制反应气体的气压使第一沟槽的底部平坦；去除光阻。本申请通过在对OVL标记和其它区域进行刻蚀的过程中，通过控制反应气体的气压使OVL标记对应的第一沟槽的底部平坦，解决了由于微观负载效应所造成的第一沟槽底部凸起的现象，从而避免了由于OVL标记不清晰所导致的工艺问题，提高了器件的良率。
本发明授权刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括： 在介质层上通过光刻工艺覆盖光阻，暴露出目标区域； 进行刻蚀，刻蚀至所述目标区域的介质层中的预定深度，形成多种类型的沟槽，所述多种类型的沟槽包括第一沟槽，所述第一沟槽是OVL标记对应的沟槽，在所述刻蚀过程中通过控制反应气体的气压使所述第一沟槽的底部平坦； 去除光阻； 其中，在所述刻蚀过程中反应气体的气压为20毫托至40毫托，所述刻蚀过程中的反应气体包括八氟环丁烷，或包括八氟环丁烷和氧气，在所述刻蚀过程中八氟环丁烷的剂量为30毫立方厘米至50毫立方厘米。
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