华虹半导体(无锡)有限公司郭超获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利晶片对准标记选取方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115373233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210935088.0,技术领域涉及:G03F9/00;该发明授权晶片对准标记选取方法是由郭超;费志平;李玉华;姜冒泉;吴友根;魏育航设计研发完成,并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片对准标记选取方法在说明书摘要公布了:本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种晶片对准标记选取方法。晶片对准标记选取方法包括以下步骤:选取与晶片各个前层对应的前层对准标记集合,每个所述前层对准标记集合中包括多种前层对准标记;遍历检测光源集合中的所有检测光源,使得每个所述检测光源分别对所有前层对准标记集合中的各前层对准标记进行检测,确定对应不同前层的最佳对准组合;一对所述最佳对准组合包括一种最佳对准标记和一种检测光源的组合;整合对应同一检测光源的最佳对准组合形成最佳对准集合,各个所述最佳对准集合中包括位于不同前层中的最佳对准标记;基于目标对准标记数量,在各个最佳对准集合中设定各种最佳对准标记的最佳分配数量。
本发明授权晶片对准标记选取方法在权利要求书中公布了:1.一种晶片对准标记选取方法,其特征在于,所述晶片对准标记选取方法包括以下步骤: 选取与晶片各个前层对应的前层对准标记集合,每个所述前层对准标记集合中包括多种前层对准标记; 遍历检测光源集合中的所有检测光源,使得每个所述检测光源分别对所有前层对准标记集合中的各前层对准标记进行检测,确定对应不同前层的最佳对准组合; 整合对应同一检测光源的最佳对准组合形成最佳对准集合,各个所述最佳对准集合中包括位于不同前层中的最佳对准标记; 基于目标对准标记数量,在各个最佳对准集合中设定各种最佳对准标记的最佳分配数量; 其中,所述遍历检测光源集合中的所有检测光源,使得每个所述检测光源分别对所有前层对准标记集合中的各前层对准标记进行检测,确定对应不同前层的最佳对准组合,包括: 步骤S21:从检测光源集合中确定一检测光源; 步骤S22:确定对应一前层的前层对准标记集合; 步骤S23:基于所述检测光源对所述前层对准标记集合中的每种前层对准标记进行检测的检测结果,从所述前层对准标记集合中选取最佳对准标记; 步骤S26:一个所述最佳对准标记与所述检测光源形成一对所述最佳对准组合; 其中,所述步骤S23包括: 步骤S231:使用所述检测光源对所述前层对准标记集合中的一前层对准标记进行检测,获取对位信号; 步骤S232:确定所述对位信号的信号拟合度、信号强度和对位残值为检测结果; 步骤S233:当所述对位信号的信号拟合度、信号强度和对位残值均大于预设阈值,确定所述前层对准标记为最佳对准标记; 步骤S235:选取对应所述前层对准标记集合的所有最佳对准标记。
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