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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利接触电阻的测试方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115372775B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110551274.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权接触电阻的测试方法及设备是由林仕杰设计研发完成，并于2021-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本接触电阻的测试方法及设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种接触电阻的测试方法及设备，在测试工作于线性区的MOS晶体管的接触电阻时，通过确定MOS晶体管在各个采样温度下的总阻值与MOS晶体管的沟道宽度之间的函数关系，来确定出MOS晶体管的接触电阻在各个采样温度下的阻值；根据MOS晶体管的接触电阻在各个采样温度下的阻值，确定出接触电阻在当前环境温度下的校准系数，进而根据接触电阻在当前环境温度下的校准系数，对接触电阻的测量结果进行校正，得到接触电阻在当前环境温度下的准确阻值，可以有效消除环境温度以及寄生效应对接触电阻的测量结果产生的影响，提升MOS晶体管的测量精确度。

本发明授权接触电阻的测试方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种接触电阻的测试方法，用于测试MOS晶体管的接触电阻，其特征在于，所述MOS晶体管工作在线性区，所述方法包括： 确定所述MOS晶体管在各个采样温度下的第一阻值与所述MOS晶体管的沟道宽度之间的函数关系，所述第一阻值为所述MOS晶体管的沟道电阻的阻值与接触电阻的阻值之和； 根据所述函数关系，确定所述MOS晶体管的接触电阻在所述各个采样温度下的阻值； 根据所述MOS晶体管的接触电阻在所述各个采样温度下的阻值，确定所述接触电阻在当前环境温度下的校准系数； 根据所述校准系数、所述接触电阻的单位面积电阻值、所述接触电阻的面积，确定所述接触电阻在当前环境温度下的阻值；所述根据所述MOS晶体管的接触电阻在所述各个采样温度下的阻值，确定所述接触电阻在当前环境温度下的校准系数，包括： 基于所述各个采样温度以及所述MOS晶体管的接触电阻在所述各个采样温度下的阻值,确定所述接触电阻的阻值与温度之间的电阻温度参数； 根据预设的标准温度、所述当前环境温度以及所述电阻温度参数，得到所述接触电阻在所述当前环境温度下的校准系数。

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