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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利MOS器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360144B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211039188.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权MOS器件的制备方法是由武浩;蒙飞;谭艳琼设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOS器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MOS器件的制备方法，包括：去除第一目标区域的多晶硅层和第一氧化层；形成第二氧化层，第二氧化层覆盖多晶硅层、第一氧化层和衬底暴露的表面；去除多晶硅层顶部和第一目标区域中预定区域的第二氧化层，剩余的第二氧化层在多晶硅层和所述第一氧化层的侧表面形成第一隔离层；去除第二目标区域的多晶硅层和第一氧化层；形成第三氧化层，第三氧化层覆盖栅极、栅介质层、第一隔离层和衬底暴露的表面；去除栅极顶部和第一目标区域、第二目标区域中预定区域的第三氧化层，剩余的第三氧化层在栅极的一侧形成栅极的外侧墙，剩余的第三氧化层在栅极另一侧形成第二隔离层，第一隔离层和第二隔离层形成栅极的内侧墙。

本发明授权MOS器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件的制备方法，其特征在于，包括： 去除第一目标区域的多晶硅层和第一氧化层，所述多晶硅层形成于所述第一氧化层上，所述第一氧化层形成于衬底上； 形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述多晶硅层、所述第一氧化层和所述衬底暴露的表面； 去除所述多晶硅层顶部和所述第一目标区域中预定区域的第二氧化层，剩余的第二氧化层在所述多晶硅层和所述第一氧化层的侧表面形成第一隔离层； 去除第二目标区域的多晶硅层和第一氧化层，剩余的多晶硅层形成所述MOS器件的栅极，剩余的第一氧化层形成所述MOS器件的栅介质层，所述第二目标区域和所述第一目标区域不具有叠加的区域； 形成第三氧化层，所述第三氧化层覆盖所述栅极、所述栅介质层、所述第一隔离层和所述衬底暴露的表面； 去除所述栅极顶部和所述第一目标区域、第二目标区域中预定区域的第三氧化层，剩余的第三氧化层在栅极的一侧形成所述栅极的外侧墙，剩余的第三氧化层在所述栅极另一侧形成第二隔离层，所述第一隔离层和所述第二隔离层形成所述栅极的内侧墙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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