长鑫存储技术有限公司邵光速获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332321B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211001499.9，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权半导体结构及其形成方法是由邵光速;吴敏敏设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；位于所述基底上的多个间隔排布的半导体柱，所述半导体柱包括沿第一方向依次分布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，所述半导体柱具有中空区，且至少所述沟道区环绕所述中空区；沿第二方向延伸的位线，所述位线与沿所述第二方向排布的多个所述半导体柱的所述第一掺杂区相接触；沿第三方向延伸的字线，所述字线环绕沿所述第三方向排布的多个所述半导体柱的所述沟道区。本公开实施例至少有利于提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 位于所述基底上的多个间隔排布的半导体柱，所述半导体柱包括沿第一方向依次分布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，所述半导体柱具有中空区，且至少所述沟道区环绕所述中空区； 沿第二方向延伸的位线，所述位线与沿所述第二方向排布的多个所述半导体柱的所述第一掺杂区相接触； 沿第三方向延伸的字线，所述字线环绕沿所述第三方向排布的多个所述半导体柱的所述沟道区； 绝缘层，所述绝缘层位于部分所述中空区内，且所述绝缘层与所述半导体柱围成空气间隙。
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