长电集成电路(绍兴)有限公司潘波获国家专利权
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龙图腾网获悉长电集成电路(绍兴)有限公司申请的专利一种堆叠导电柱互联结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295516B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211006624.5，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权一种堆叠导电柱互联结构及其制备方法是由潘波;李宗怿;梁新夫;刘新;柳坤;郭良奎;郝俊峰;丁晓春设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种堆叠导电柱互联结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种堆叠导电柱互联结构及其制备方法，堆叠导电柱互联结构包括：依次垂直层叠的第一介质层至第N介质层；N为大于或等于2的整数；任意的第n介质层中具有第n通槽；垂直堆叠且依次邻接的第一导电柱至第N导电柱；任意的第n导电柱位于第n通槽中，任意的第n导电柱包括：位于第n通槽的内壁表面的第n应力阻挡层以及位于第n应力阻挡层上的第n导电本体；n为大于或等于1且小于或等于N的整数；任意的第k导电本体和第k+1应力阻挡层接触，k为大于或等于1且小于或等于N‑1的整数。所述堆叠导电柱互联结构避免可靠性测试失效且提高了使用寿命。
本发明授权一种堆叠导电柱互联结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种堆叠导电柱互联结构，其特征在于，包括： 依次垂直层叠的第一介质层至第N介质层；N为大于或等于2的整数；任意的第n介质层中具有第n通槽； 垂直堆叠且依次邻接的第一导电柱至第N导电柱；任意的第n导电柱位于第n通槽中，任意的第n导电柱包括：位于第n通槽的内壁表面的第n应力阻挡层以及位于第n应力阻挡层上的第n导电本体；n为大于或等于1且小于或等于N的整数；任意的第k导电本体和第k+1应力阻挡层接触，k为大于或等于1且小于或等于N-1的整数； 任意的第n应力阻挡层的弹性模量大于第n导电本体的弹性模量。
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