华进半导体封装先导技术研发中心有限公司郑毛荣获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种重布线层构造方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295436B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211036738.4，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权一种重布线层构造方法及结构是由郑毛荣设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种重布线层构造方法及结构在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装技术领域，提出一种重布线层构造方法及结构，该方法包括下列步骤：在衬底上布置第一钛铜种子层；在所述第一钛铜种子层上布置第一重布线图形；去除位于所述衬底的非图形区域上的所述第一钛铜种子层；在布置有所述第一重布线图形的所述衬底上布置第二钛铜种子层；在所述第二钛铜种子层上布置第二重布线图形；去除位于非图形区域以及所述第一重布线图形上方的所述第二钛铜种子层的铜层；以及去除位于非图形区域以及所述第一重布线图形上方的所述第二钛铜种子层的钛层。
本发明授权一种重布线层构造方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种重布线层构造方法，其特征在于，包括下列步骤： 在衬底上布置第一钛铜种子层； 在所述第一钛铜种子层上布置第一重布线图形； 去除位于所述衬底的非图形区域上的所述第一钛铜种子层； 在布置有所述第一重布线图形的所述衬底上布置第二钛铜种子层； 在所述第二钛铜种子层上布置第二重布线图形； 去除位于非图形区域以及所述第一重布线图形上方的所述第二钛铜种子层的铜层；以及 去除位于非图形区域以及所述第一重布线图形上方的所述第二钛铜种子层的钛层， 其中所述第一重布线图形与所述第二重布线图形的下列各项的至少其中之一是不同的：高度、材料以及表面积， 其中在同一布线层上布置所述第一重布线图形以及所述第二重布线图形。
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