华虹半导体(无锡)有限公司洪文彬获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274725B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210875029.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其制备方法是由洪文彬;邱元元;郭振强;朱作华设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种图像传感器及其制备方法，其中方法包括：提供一其中形成有光电二极管区、其上形成有牺牲氧化层和栅极的衬底；形成第一侧墙层和第二侧墙层；执行离子注入工艺以在所述第一钳位区上形成第二钳位区；继续执行离子注入工艺以在所述第二钳位区上形成阻挡层；对晶圆表面进行湿法清洗工艺。本申请通过在形成第二钳位区之后，继续执行离子注入工艺以在所述第二钳位区上形成阻挡层，所述阻挡层一方面可以抑制所述第二钳位区中的离子扩散，另一方面可以俘获间隙硅原子和其他缺陷位，从而可以抑制后续热退火工艺导致的硼氟离子的扩散和逸出，进而抑制光电子的逸出，改善白噪点，从而解决了CMOS图像传感器的电荷逸出的问题。
本发明授权图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底中形成有光电二极管区，所述衬底上形成有牺牲氧化层和栅极，其中，所述牺牲氧化层覆盖所述衬底表面，所述栅极位于所述牺牲氧化层上并且所述栅极在衬底表面投影上覆盖部分所述光电二极管区； 形成第一钳位区，所述第一钳位区位于所述衬底中的所述光电二极管区上； 形成第一侧墙层和第二侧墙层，所述第一侧墙层覆盖所述栅极和所述衬底的表面，所述第二侧墙层位于所述栅极侧面的所述第一侧墙层上； 形成第一图案化的光刻胶层，所述第一图案化的光刻胶层在所述光电二极管区上的所述第二侧墙层上打开第一窗口； 根据所述第一窗口，对所述衬底执行离子注入工艺以在所述第一钳位区上形成第二钳位区； 继续根据所述第一窗口，对所述衬底执行离子注入工艺以在所述第二钳位区上形成阻挡层； 去除所述第一图案化的光刻胶层； 对所述第一侧墙层表面和所述第二侧墙层表面进行湿法清洗工艺。
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