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龙图腾网获悉宁波芯健半导体有限公司申请的专利一种芯片的三维封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241157B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210714262.9，技术领域涉及：H10W42/20；该发明授权一种芯片的三维封装结构及其封装方法是由刘凤;彭祎;任超;方梁洪设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片的三维封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片的三维封装结构及其封装方法，包括第一封装单体、第二封装单体、间隔设置在第二封装单体上的多个第一导电柱体、包覆第一封装单体、第二封装单体和多个第一导电柱体的第一塑封结构和电磁屏蔽结构；第一封装单体设置在第二封装单体上，第一封装单体和第二封装单体电连接；第二封装单体具有第一双面导通结构，第一双面导通结构相对第一封装单体的表面暴露于空气；第一导电柱体与第二封装单体的第一双面导通结构电连接；第一塑封结构使得第一双面导通结构相对第一封装单体的表面暴露于空气；电磁屏蔽结构包覆第一塑封结构，电磁屏蔽结构与第一导电柱体电连接。本申请可以防止各芯片和元器件相互产生的电磁干扰。

本发明授权一种芯片的三维封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片的三维封装结构，其特征在于，包括：第一封装单体、第二封装单体、多个第一导电柱体、第一塑封结构和电磁屏蔽结构； 所述第一封装单体设置在所述第二封装单体上，所述第一封装单体和所述第二封装单体电连接； 所述第二封装单体具有第一双面导通结构，所述第一双面导通结构相对所述第一封装单体的表面暴露于空气； 多个所述第一导电柱体中的第一导电柱体间隔设置在所述第二封装单体上，所述第一导电柱体与所述第二封装单体的所述第一双面导通结构电连接； 所述第一塑封结构包覆所述第一封装单体、所述第二封装单体和多个所述第一导电柱体，且使得所述第一双面导通结构相对所述第一封装单体的表面暴露于空气； 所述电磁屏蔽结构包覆所述第一塑封结构，所述电磁屏蔽结构与所述第一导电柱体电连接；其中，所述第二封装单体包括： 基板，所述基板布设有所述第一双面导通结构，且所述第一双面导通结构贯穿所述基板设置； 多个第一芯片，多个所述第一芯片中的第一芯片间隔设置在所述基板上； 介质层，所述介质层设置在所述第一芯片的至少部分区域上，使得所述第一芯片的部分区域暴露于空气； 导电层，所述导电层设置在所述第一芯片暴露于空气的部分区域上；所述导电层与所述第一双面导通结构电连接；所述导电层与所述第一导电柱体电连接。

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