中国科学院上海微系统与信息技术研究所陈垒获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利超导磁通存储结构、数据读写表征方法及存储器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115223610B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210826735.4,技术领域涉及:G11C11/02;该发明授权超导磁通存储结构、数据读写表征方法及存储器是由陈垒;钟翔海;曾俊文;王镇设计研发完成,并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本超导磁通存储结构、数据读写表征方法及存储器在说明书摘要公布了:本发明提供一种超导磁通存储结构、数据读写表征方法及存储器,至少包括:磁通存储模块及磁通读出模块,所述磁通存储模块包括第一超导环路及第一超导线圈,第一超导环路包括第一约瑟夫森结,第一约瑟夫森结与第一超导线圈相耦合;磁通读出模块包括第二超导环路及第二超导线圈,第二超导环路与第二超导线圈相耦合,第二超导环路包括第二约瑟夫森结及第三约瑟夫森结,能够在室温进行数据高速写入与读取,有效降低了测试设备的测试门槛,能够做到皮秒速度的信号采样,极大提高了超导存储的性能。
本发明授权超导磁通存储结构、数据读写表征方法及存储器在权利要求书中公布了:1.一种超导磁通存储结构,其特征在于,所述超导磁通存储结构至少包括:磁通存储模块及磁通读出模块,其中: 所述磁通存储模块包括第一超导环路及第一超导线圈,所述第一超导环路包括第一约瑟夫森结,所述第一约瑟夫森结与所述第一超导线圈相耦合; 所述第一超导线圈的第一端接收第一电流I1,第二端接参考地;所述第一超导环路的第一端接收第二电流I2,第二端接参考地; 其中,所述第一超导线圈控制磁通量子的写入使能操作;所述第一超导环路的电感产生存储磁通量子所需的回滞曲线,所述回滞曲线用于打开写入使能,所述第一电流I1用于控制所述写入使能,基于所述写入使能和所述第二电流I2实现对磁通量子的写入,其中,磁通量子的状态包括磁通状态“0”和“1”; 所述磁通读出模块包括第二超导环路及第二超导线圈,所述第二超导环路与所述第二超导线圈相耦合,所述第二超导环路包括第二约瑟夫森结及第三约瑟夫森结; 所述第二超导线圈的第一端接收第三电流I3,第二端接参考地;所述第二超导环路的第一端接收第四电流I4,第二端接参考地; 其中,根据所述第三电流I3,所述第二超导线圈控制磁通量子的读出使能;根据高频脉冲和所述第四电流I4,所述第二超导环路基于读出使能对所述磁通存储模块存储的磁通量子进行读取;所述第二约瑟夫森结与所述第三约瑟夫森结组成超导量子干涉仪;其中,所述读取是通过使所述超导量子干涉仪在磁通状态“0”下处于超导状态,在磁通状态“1”处于失去超导状态,进而完成对磁通状态“0”及磁通状态“1”的磁通量子的读取操作。
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