上海华虹宏力半导体制造有限公司赵伯宁获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利改善BPSG对接触电阻影响的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172265B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210719528.9，技术领域涉及：H10W20/45；该发明授权改善BPSG对接触电阻影响的方法是由赵伯宁;沈浩峰设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善BPSG对接触电阻影响的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善BPSG对接触电阻影响的方法，在晶圆上接触孔或沟槽的离子注入之前，先进行一步快速热退火，在BPSG层中的沟槽或者接触孔的侧壁上形成一层氧化膜，然后再进行接触孔离子注入及退火过程。通过形成一层氧化膜作为阻挡层，将杂质离子封闭在BPSG层内部，然后再进行离子注入及退火过程，这样避免了BPSG层内部杂质扩散的情况发生，提高器件可靠性。
本发明授权改善BPSG对接触电阻影响的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善BPSG对接触电阻影响的方法，其特征在于： 在晶圆上接触孔或沟槽的离子注入之前，先进行一步快速热退火，在BPSG层中的接触孔或沟槽的侧壁上形成一层氧化膜，然后再进行接触孔或沟槽的离子注入及退火过程；所述的晶圆上表层覆盖BPSG层，所述的接触孔或沟槽贯穿BPSG层，底部位于BPSG层下方的半导体衬底或外延层中。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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