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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利化合物半导体晶圆的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172146B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210910663.1，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权化合物半导体晶圆的制作方法是由程海英;许东设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本化合物半导体晶圆的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种化合物半导体晶圆的制作方法，包括：提供一衬底，衬底的正面上依次形成化合物半导体晶圆的外延结构、正面器件结构以及引出金属层；覆盖正面器件结构形成钝化保护层；使化合物半导体晶圆的正面与第一支撑基板进行临时键合；对化合物半导体晶圆执行背面工艺；使薄片晶圆与第一支撑基板解键合，以及使薄片晶圆的背面通过热敏胶粘附在第二支撑基板上；于薄片晶圆的正面形成金属凸块，金属凸块与引出金属层相连；使薄片晶圆与第二支撑基板分离。本发明在完成背面工艺之后执行正面金属凸块的形成步骤，便于化合物半导体晶圆与另一晶圆之间的堆叠式焊接封装，有助于提高器件的集成度，减少组件的封装焊线，同时确保封装器件的可靠性。

本发明授权化合物半导体晶圆的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种化合物半导体晶圆的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 提供一衬底，所述衬底的正面上依次形成化合物半导体晶圆的外延结构、正面器件结构以及引出金属层； 覆盖所述化合物半导体晶圆的正面器件结构之上形成钝化保护层； 使所述化合物半导体晶圆的正面面向第一支撑基板且与所述第一支撑基板进行临时键合； 对所述化合物半导体晶圆执行背面工艺，包括： 对所述化合物半导体晶圆的背面进行减薄以获得薄片晶圆； 对所述薄片晶圆进行背面通孔刻蚀； 对所述薄片晶圆进行背面金属化；使所述薄片晶圆与所述第一支撑基板解键合，以及将所述薄片晶圆转移至第二支撑基板且使所述薄片晶圆的背面通过热敏胶粘附在所述第二支撑基板上；其中，所述热敏胶为双面热敏胶带； 于所述薄片晶圆的正面形成金属凸块，所述金属凸块与所述引出金属层相连； 通过调节加热温度，将所述双面热敏胶带正面与反面的温度差维持在不超过+-2℃，以使所述双面热敏胶带的正面与反面同时解胶，使所述薄片晶圆与所述第二支撑基板分离，其中所述双面热敏胶的耐温不低于120℃。

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