日东电工株式会社田中卓哉获国家专利权
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龙图腾网获悉日东电工株式会社申请的专利光透射性积层体的检查方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115135996B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180016062.X,技术领域涉及:G01N21/958;该发明授权光透射性积层体的检查方法是由田中卓哉;望月政和;小西隆博;伊崎章典设计研发完成,并于2021-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本光透射性积层体的检查方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种可检测出与以往相比格外微小的异物的光透射性积层体的检查方法。本发明光透射性积层体的检查方法是在将光透射性积层体逐片固定在半空中的状态下进行透射检查,检测光透射性积层体中的8μm~50μm尺寸的缺陷。例如,缺陷的检测包含以下步骤:将规定倍率的光学系统的焦点对准光透射性积层体的第一主面的表面,并以光学系统扫描光透射性积层体,而制作出缺陷的XY坐标图;使光学系统的焦点从光透射性积层体的第一主面的表面向厚度方向内侧偏移规定距离,并以光学系统扫描光透射性积层体,而制作出另一缺陷的XY坐标图;及,整合制作出的缺陷的XY坐标图。
本发明授权光透射性积层体的检查方法在权利要求书中公布了:1.一种光透射性积层体的检查方法,在将光透射性积层体逐片固定在半空中的状态下进行透射检查,并检测该光透射性积层体中的8µm~50µm尺寸的缺陷, 所述缺陷的检测包含以下步骤: 将规定倍率的光学系统的焦点对准所述光透射性积层体的第一主面的表面,并利用该光学系统扫描该光透射性积层体,而制作出缺陷的XY坐标图; 使该光学系统的焦点从该光透射性积层体的第一主面的表面向厚度方向内侧偏移规定距离,并利用该光学系统扫描该光透射性积层体,而制作出另一缺陷的XY坐标图;及 整合该制作出的缺陷的XY坐标图; 所述规定距离为10µm~100µm, 所述规定倍率为5倍以下。
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