株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社大麻浩平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117168B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110861191.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置及其制造方法是由大麻浩平设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：实施方式主要提供一种既能提高内置二极管的反向恢复特性、可靠性又高的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置具备：上部电极；下部电极；衬底，位于所述上部电极和所述下部电极之间；埋入电极部，位于所述衬底和所述上部电极之间，具有栅极电极；以及硅层，位于所述衬底和所述上部电极之间，具有与所述埋入电极部邻接的台面部、位于所述台面部和所述衬底之间的第一区域、以及位于所述埋入电极部和所述衬底之间的第二区域，所述第一区域的能级密度高于所述第二区域的能级密度。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中，具备： 上部电极； 下部电极； 第一导电型的衬底，位于所述上部电极和所述下部电极之间； 埋入电极部，位于所述衬底和所述上部电极之间，具有栅极电极；以及 硅层，位于所述衬底和所述上部电极之间，具有与所述埋入电极部邻接的台面部以及与所述第一导电型的衬底直接接触的第一导电型的漂移层，所述漂移层包括位于所述台面部和所述衬底之间的第一区域、以及位于所述埋入电极部和所述衬底之间的第二区域， 所述第一区域和所述第二区域在所述埋入电极部和所述台面部彼此邻接的方向上连续， 所述第一区域的能级密度高于所述第二区域的能级密度，所述漂移层的能级密度的峰值位于所述第一区域中。
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