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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116498B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110953548.8，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权半导体存储装置是由伊达浩己设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：一实施方式提供一种能够削减写入动作时的峰值电流的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置2具有多个存储单元MT、连接于存储单元MT的栅极的字线WL、及产生供给到字线WL的电压的电压产生电路281。另外，所述半导体存储装置2还具有定序器27，所述定序器27执行写入序列，对存储单元MT写入特定数据，所述写入序列是反复进行多个循环，所述多个循环由对存储单元MT写入数据的编程动作与检验写入到所述存储单元MT的所述数据的验证动作的集合而构成。定序器27对电压产生电路281指示供给到字线WL的电压的设定值，根据循环的位置来变更验证动作开始时的设定值也就是最初的中间设定值。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 多个存储单元； 字线，连接于所述多个存储单元的栅极； 位线，经由分别连接在所述多个存储单元一端的多个选择栅极晶体管而电连接于所述多个存储单元的一端； 电压产生电路，产生供给到所述字线的电压；及 控制部，执行写入序列，对所述存储单元写入特定数据，所述写入序列是反复进行多个循环，所述多个循环由对所述存储单元写入数据的编程动作与检验写入到所述存储单元的所述数据的验证动作的集合所构成；且 所述控制部对所述电压产生电路指示供给到所述字线的电压的设定值， 所述电压具有在所述多个循环中的第1循环中所述验证动作开始时的所述设定值也就是第1设定值、及在所述多个循环中的第2循环中所述验证动作开始时的所述设定值也就是第2设定值； 所述第2设定值比所述第1设定值低； 在所述写入序列中，所述第2循环是所述第1循环之后的循环； 所述存储单元具有选择存储单元及非选择存储单元； 在所述编程动作中，所述控制部： 对所述位线的第1部分施加第1电压，所述第1部分电连接于所述选择存储单元的一端； 对所述位线的第2部分施加第2电压，所述第2部分电连接于所述非选择存储单元的一端； 所述第1电压比所述第2电压低。

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