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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利用于基于管芯终止的命令的技术获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115079955B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210811188.2，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权用于基于管芯终止的命令的技术是由C·E·考克斯;K·S·贝恩斯;J·A·麦考尔设计研发完成，并于2017-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于基于管芯终止的命令的技术在说明书摘要公布了：示例包括用于基于管芯终止ODT的命令的技术。在一些示例中，将值编程到存储器设备处的寄存器以在存储器设备处建立ODT的一个或多个内部电阻终止RTT设置。还将值编程到存储器设备处的寄存器以建立针对ODT延迟定时的一个或多个设置。可以改变编程值以便调整在读或写操作期间存储器设备的信号完整性。

本发明授权用于基于管芯终止的命令的技术在权利要求书中公布了：1.一种用于控制存储器设备的装置，包括： 用于存储器设备的控制器，其包括逻辑，所述逻辑的至少一部分包括硬件，所述逻辑用于： 使用编程到所述存储器设备处的第一组寄存器的第一组值，以在所述存储器设备处建立针对管芯上终止ODT的一个或多个内部电阻终止RTT设置，所述第一组值包括RTT_PARK的第一电阻值、RTT_WR的第二电阻值、RTT_NOM_WR的第三电阻值或RTT_NOM_RD的第四电阻值； 使用编程到所述存储器设备处的第二组寄存器的第二组值，以建立用于打开或关闭来自针对所述存储器设备的一个或多个RTT设置中的相应RTT设置的针对ODT延迟定时tODTL的一个或多个设置，其中，所述第二组值包括用于响应于针对所述存储器设备的写命令而打开RTT_WR的电阻的针对tODTLon_WR的第一定时值、用于响应于针对所述存储器设备的写命令而关闭RTT_WR的电阻的针对tODTLoff_WR的第二定时值、用于响应于不针对所述存储器设备的写命令而打开RTT_NOM_WR的电阻的针对tODTLon_WR_NT的第三定时值、用于响应于不针对所述存储器设备的写命令而关闭RTT_NOM_WR的电阻的针对tODTLoff_WR_NT的第四定时值、用于响应于不针对所述存储器设备的读命令而打开RTT_NOM_RD的电阻的针对tODTLon_RD_NT的第五定时值、用于响应于不针对所述存储器设备的读命令而关闭RTT_NOM_RD的电阻的针对tODTLoff_RD_NT的第六定时值； 改变对编程到所述第一组寄存器的所述第一组值的使用或改变对编程到所述第二组寄存器的所述第二组值的使用，以调整在读或写操作期间所述存储器设备的信号完整性。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英特尔公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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