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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050829B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110258496.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件是由张晖;孔苏苏;李仕强;周文龙;谈科伟;杜小青设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件。其中，半导体器件的外延结构包括衬底，以及依次位于衬底一侧的背势垒层、沟道层和势垒层，势垒层与沟道层之间形成有二维电子气，背势垒层包括AlxGa1‑xN背势垒层，或者，背势垒层包括InxGa1‑xN背势垒层。本发明实施例提供的半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，通过在沟道层靠近衬底的一侧设置背势垒层，且背势垒层包括AlxGa1‑xN背势垒层或InxGa1‑xN背势垒层，以抬高背势垒层一侧的导带，从而提高了背势垒层一侧的势垒，增加2DEG的限域能力，使得在沟道层和势垒层的界面处形成的高浓度2DEG不易向背势垒层泄露，进而降低背势垒层的漏电，提高半导体器件的击穿电压。

本发明授权一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的外延结构，其特征在于，包括： 衬底； 依次位于所述衬底一侧的背势垒层、沟道层和势垒层，所述势垒层与所述沟道层之间形成有二维电子气；所述沟道层的厚度为T； 所述背势垒层包括AlxGa1-xN背势垒层，或者，所述背势垒层包括InxGa1-xN背势垒层；所述背势垒层包括至少两层子背势垒层，所述子背势垒层包括第一子背势垒层和第二子背势垒层，所述第二子背势垒层位于所述第一子背势垒层远离所述衬底的一侧； 所述第一子背势垒层包括AlyGa1-yN子背势垒层，所述第二子背势垒层包括AlzGa1-zN子背势垒层，所述第一子背势垒层的铝组分沿第一方向逐渐降低，所述第二子背势垒层的铝组分沿第一方向逐渐降低；所述AlxGa1-xN背势垒层靠近所述沟道层一侧的铝组分为Q1，T与Q1呈正相关； 或者，所述第一子背势垒层包括InyGa1-yN子背势垒层，所述第二子背势垒层包括InzGa1-zN子背势垒层，所述第一子背势垒层的铟组分沿第一方向逐渐降低，所述第二子背势垒层的铟组分沿第一方向逐渐降低；所述InxGa1-xN背势垒层靠近所述沟道层一侧的铟组分为Q2，T与Q2呈正相关； 其中，所述第一方向为所述衬底指向所述沟道层的方向。

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