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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种高迁移率金刚石射频场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210484709.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高迁移率金刚石射频场效应晶体管及其制备方法是由郁鑫鑫;陶然;吴云;李忠辉设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高迁移率金刚石射频场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高迁移率金刚石射频场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括金刚石衬底、氢终端、六方氮化硼介质层、栅金属层、欧姆接触金属层和钝化介质层，晶体管制备方法包括在氢终端金刚石衬底上转移六方氮化硼介质层；栅极制备及六方氮化硼介质层刻蚀；表面氢等离子体处理；欧姆接触电极制备；钝化介质层沉积及介质孔刻蚀。本发明方法基于真空环境下氮化硼转移和选择性刻蚀技术，可以有效提升氮化硼与金刚石的界面质量，制备的金刚石射频场效应晶体管具有界面态密度低、载流子迁移率高、频率性能高、击穿电压高的特点，可应用于高频大功率金刚石射频器件的研制中。

本发明授权一种高迁移率金刚石射频场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高迁移率金刚石射频场效应晶体管的制备方法，其特征在于， 所述晶体管包括金刚石衬底1、氢终端、栅极、源极和漏极，所述氢终端设置在金刚石衬底1的上表面，所述栅极包括六方氮化硼介质层2和栅金属层4，所述六方氮化硼介质层2设置在氢终端上表面，所述栅金属层4设置在六方氮化硼介质层2的上表面，所述源极、栅极和漏极依次间隔设置在氢终端上表面，所述源极两侧的氢终端上表面、漏极两侧的氢终端上表面、源极部分上表面、漏极部分上表面和栅极部分上表面设有钝化介质层6，所述钝化介质层6的介质为Al2O3； 所述制备方法包括以下步骤： S1、对金刚石衬底1的表面进行氢化处理，形成氢终端，得到氢终端金刚石，然后将氢终端金刚石转移至与氢化设备连通的真空手套箱中，在氢终端金刚石上表面转移一层六方氮化硼介质层2； S2、采用光刻胶3在六方氮化硼介质层2上表面定义栅极区域； S3、在栅极区域内淀积栅金属层4，然后利用有机溶液剥离光刻胶3形成栅极； S4、以栅金属层4为掩膜，将无掩膜保护的六方氮化硼介质层2刻蚀掉，并对氢终端金刚石上表面进行氢等离子处理，得到氢等离子处理后的氢终端金刚石； S5、采用光刻胶3在栅极两侧的氢等离子处理后的氢终端金刚石上表面定义源漏区域，且栅极与源漏区域之间均为氢终端沟道，在源漏区域内淀积欧姆接触金属层5，利用有机溶液剥离光刻胶3形成欧姆电极，并退火形成欧姆接触，得到源极和漏极； S6、采用原子层沉积法在氢终端上、欧姆接触金属层5上和栅金属层4上沉积一层钝化介质层6； S7、采用光刻胶3分别在位于欧姆接触金属层5和栅金属层4上的钝化介质层6上定义介质孔区域，将介质孔内的钝化介质层6刻蚀掉，利用有机溶液去除光刻胶3。

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