应用材料公司陈泰舟获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于光电器件信噪比的增强的结构和材料工程方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180010739.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权用于光电器件信噪比的增强的结构和材料工程方法是由陈泰舟;舒伯特·S·楚;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;约翰·蒂莫西·博兰德;叶祉渊;洛里·华盛顿;陶冼智;黄奕樵;吴贞莹设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于光电器件信噪比的增强的结构和材料工程方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体器件的方法包括：在传感器基板的正面之上形成互连结构，从传感器基板的背面使传感器基板变薄，将沟槽蚀刻进传感器基板中，预清洁传感器基板的暴露的表面，直接在传感器基板的经预清洁的暴露的表面上外延生长电荷层，并且在经蚀刻的沟槽内形成隔离结构。
本发明授权用于光电器件信噪比的增强的结构和材料工程方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤： 在传感器基板的正面之上形成互连结构； 从所述传感器基板的背面使所述传感器基板变薄； 将沟槽蚀刻进所述传感器基板中； 预清洁所述传感器基板的暴露的表面； 直接在所述传感器基板的经预清洁的暴露的表面的所述背面上和所述沟槽内外延生长电荷层；和 在经蚀刻的沟槽内形成隔离结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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