广州华星光电半导体显示技术有限公司刘贺获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114975482B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210552866.8,技术领域涉及:H10D86/40;该发明授权阵列基板及显示面板是由刘贺设计研发完成,并于2022-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了:本申请实施例提供的阵列基板及显示面板中,包括有源层、第一吸氢层以及源漏极层。其中,第一吸氢层设置在有源层上且与有源层相连接,第一吸氢层具有吸附氢气的特性,可以有效地吸收有源层中的氢元素。通过在有源层上设置与之相连接的第一吸氢层,可以吸附有源层沟道内的氢元素,从而降低有源层沟道内的氢元素含量。由于有源层沟道内的氢元素含量降低,因此有源层沟道内的氢元素含量不会影响有源层沟道内的氧元素含量,从而不会导致有源层沟道内载流子浓度降低,有助于提高阵列基板的稳定性以及信赖性,进而有助于提高液晶显示器件的显示效果。
本发明授权阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板,其特征在于,包括: 有源层; 第一吸氢层,所述第一吸氢层设置在所述有源层上,且所述第一吸氢层与所述有源层连接; 源漏极层,所述源漏极层设置在所述第一吸氢层远离所述有源层的一面上,所述源漏极层包括源极以及漏极,所述源极以及所述漏极均与所述第一吸氢层连接; 其中,所述有源层与所述第一吸氢层连接的一面上设置有多个凸起,且所述第一吸氢层覆盖所述凸起;所述第一吸氢层的长度大于或等于所述有源层的长度的二分之一。
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