日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110192238.9，技术领域涉及：H10W70/652；该发明授权半导体结构及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体结构及其制造方法，通过设置第一底部介电层露出部分第一有源组件的方式，减薄了第一底部介电层的厚度，进而可以在第一底部介电层上按照该方式进行其他电子组件的堆栈，以此缩减半导体结构的整体厚度，实现半导体封装产品的小型化与轻薄化。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 第一重布线层，包括第一底部线路层和第一底部介电层，所述第一底部线路层内埋于所述第一底部介电层； 第一无源组件，电连接所述第一底部线路层； 第一有源组件，电连接所述第一底部线路层，所述第一有源组件具有第一侧表面； 第一模封层，包覆所述第一重布线层、所述第一无源组件以及所述第一有源组件； 所述第一底部介电层暴露所述第一有源组件的部分，以使所述第一侧表面接触所述第一底部介电层以及第一模封层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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