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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利GaN太赫兹薄膜电路制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210475451.5，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权GaN太赫兹薄膜电路制备方法是由张凯;代鲲鹏;朱广润;步绍姜;房柏彤;王伟凡;陈堂胜设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN太赫兹薄膜电路制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于基本电气元件的技术领域，特别涉及GaN太赫兹薄膜电路制备方法。本发明是基于衬底上n‑‑GaN层n+‑GaN层材料，首先形成GaN肖特基二极管的阴极和阳极，随后刻蚀去除GaN肖特基二极管区域外的n+‑GaN层至薄膜介质，紧接着将太赫兹电路传输线制备于薄膜介质表面，然后将衬底的底层Si去除，最后实现GaN太赫兹肖特基二极管与薄膜低损耗传输线的单片集成电路。本发明实现的GaN太赫兹薄膜电路具有工作频率高、损耗小、工艺良率高等优点，广泛适应于太赫兹频段GaN倍频器、探测器等芯片领域。

本发明授权GaN太赫兹薄膜电路制备方法在权利要求书中公布了：1.GaN太赫兹薄膜电路制备方法，其特征在于，将GaN太赫兹电路制备在SiO2薄膜上，包括以下步骤： 步骤一：在SOI衬底上依次外延生长n+-GaN层、n--GaN层，所述SOI衬底由下而上依次为底层Si、埋层SiO2和顶层Si； 步骤二：在所述n--GaN层的上方光刻图形，刻蚀去除所述n--GaN层，形成n--GaN层台面，刻蚀深度与所述n--GaN层的厚度一致； 步骤三：在暴露出的n+-GaN层上方光刻阴极图形，金属化并退火形成阴极欧姆接触； 步骤四：在所述n--GaN层台面上光刻阳极图形，金属化形成阳极接触； 步骤五：光刻隔离图形，依次刻蚀所述n+-GaN层和所述SOI衬底中的顶层Si直至暴露所述SOI衬底中的埋层SiO2的表面； 步骤六：在所述SOI衬底中暴露出的埋层SiO2的表面上光刻空气桥，沉积互联金属并剥离形成太赫兹电路传输线； 步骤七：通过有机材料将晶圆正面键合到载片上； 步骤八：将所述SOI衬底中的底层Si减薄，从晶圆背面完全去除所述SOI衬底中的底层Si直至完全暴露所述SOI衬底中的埋层SiO2； 步骤九：通过有机试剂将晶圆从载片上剥离，得到基于SiO2薄膜的GaN太赫兹薄膜电路。

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