泉州师范学院潘淼获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州师范学院申请的专利磁性薄膜核心结构、磁敏传感单元及磁场测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864809B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210282611.4，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权磁性薄膜核心结构、磁敏传感单元及磁场测量方法是由潘淼;陈文杰;叶谢姝;李阳志;林全;付亮;苏子生;王锋;谢清来;李淑芬;苏建志;周伯萌;苏志从;陈泽强设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性薄膜核心结构、磁敏传感单元及磁场测量方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种磁性薄膜核心结构、磁敏传感单元及磁场测量方法，磁性薄膜核心结构包括逐层生长在基片之上的缓冲层、第一磁层、绝缘势垒层、第二磁层、自旋轨道耦合层、偏置层和覆盖层；所述第一磁层具有自发平行于基片平面的磁化矢量；所述第二磁层具有自发垂直于基片平面的磁化矢量；所述第二磁层的磁化强度垂直于膜面时的矫顽力大于第一磁层的难轴的饱和场；所述绝缘势垒层、第二磁层和自旋轨道耦合层构成自旋轨道转矩结构。本发明优点：加工简单，能够提高器件集成度，降低成本和功耗，且可以提高器件稳定性和使用寿命。
本发明授权磁性薄膜核心结构、磁敏传感单元及磁场测量方法在权利要求书中公布了：1.一种磁性薄膜核心结构，其特征在于：包括逐层生长在基片之上的缓冲层、第一磁层、绝缘势垒层、第二磁层、自旋轨道耦合层、偏置层和覆盖层； 所述第一磁层具有自发平行于基片平面的磁化矢量；所述第二磁层具有自发垂直于基片平面的磁化矢量；所述第二磁层的磁化强度垂直于膜面时的矫顽力大于第一磁层的难轴的饱和场；所述绝缘势垒层、第二磁层和自旋轨道耦合层构成自旋轨道转矩结构； 无外磁场时，所述偏置层与第二磁层具有相同的自发磁化强度方向，同时，所述偏置层在该自发磁化强度方向上的矫顽力大于第二磁层的矫顽力，且所述偏置层的难轴的饱和场远大于第二磁层的难轴的饱和场。
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