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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及移动终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823723B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210367651.9，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板及移动终端是由胡晓斌设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及移动终端在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种阵列基板及移动终端，阵列基板包括，衬底、第一金属层、绝缘层和第二金属层，第一金属层包括栅极、与栅极连接的第一金属走线和第一电极，第一金属走线的一端部包括连接部，连接部和第一电极的一端部相对设置，绝缘层位于连接部上方的位置设置有多个转接孔，第二金属层包括与栅极对应的源漏极、第二金属走线，第二金属走线的一端连接驱动电路，第二金属走线通过转接孔与第一金属走线连接；连接部和第一电极之间设置有屏蔽走线，屏蔽走线半包围第一金属走线的端部；本申请可以有效的防止端部相对的长走线之间在制程中积累电荷，电荷积累过多时发生ESD，使得其释放的电荷击穿绝缘层，造成原本不连接的线路之间发生短路。

本发明授权阵列基板及移动终端在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括 衬底，所述衬底上靠近边缘的位置设置有一驱动电路； 第一金属层，设置于所述衬底上，包括栅极、与所述栅极连接的第一金属走线、功能电极，所述第一金属走线远离所述栅极的一端部包括连接部，所述连接部和所述功能电极间隔设置； 绝缘层，设置于所述衬底和所述第一金属层上且覆盖所述第一金属层，所述绝缘层包括位于所述连接部上方的多个转接孔； 第二金属层，设置于所述绝缘层上，所述第二金属层包括与所述栅极对应的源漏极、第二金属走线，所述第二金属走线的一端连接所述驱动电路，所述第二金属走线的另一端通过所述转接孔与所述第一金属走线连接； 其中，所述第一金属层还包括位于所述连接部和所述功能电极之间的屏蔽走线； 所述屏蔽走线包括沿第一方向延伸的第一屏蔽段、分别连接所述第一屏蔽段两端部且沿第二方向延伸的两第二屏蔽段，所述第一屏蔽段和两所述第二屏蔽段形成半包结构，所述半包结构包围所述第一金属走线靠近所述功能电极的端部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：510700 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之417；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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