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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823686B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210063045.8，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统是由徐丽芳;罗双强;H·N·贾殷;N·M·洛梅利;C·J·拉森设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统在说明书摘要公布了：本申请涉及形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统。形成微电子装置的方法包含形成微电子装置结构。所述微电子装置结构包含：堆叠结构，其具有导电结构及绝缘结构的交替序列；上部体育场式结构；下部体育场式结构；及顶峰区域，其限定在所述上部体育场式结构的第一阶梯式结构与所述下部体育场式结构的第二阶梯式结构之间。所述堆叠结构进一步包含：支柱结构，其延伸穿过所述堆叠结构；及介电结构，其插入所述上部体育场式结构内的相邻支柱结构之间。所述方法进一步包含在另一介电结构的相对侧上在所述介电结构中的两个介电结构之间的所述堆叠结构的所述顶峰区域中形成沟槽；及用介电材料填充所述沟槽。所述沟槽与所述介电结构部分地重叠。

本发明授权形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统在权利要求书中公布了：1.一种形成微电子装置的方法，其包括： 形成微电子装置结构，所述微电子装置结构包括： 堆叠结构，其包括分层次布置的导电结构及绝缘结构的竖直交替序列，所述堆叠结构分成通过填充槽彼此分离的块，每个块包括： 上部体育场式结构，其包括具有负斜率的第一阶梯式结构，所述第一阶梯式结构面向具有正斜率的额外第一阶梯式结构； 下部体育场式结构，其包括具有负斜率的第二阶梯式结构，所述第二阶梯式结构面向具有正斜率的额外第二阶梯式结构；及 顶峰区域，其水平地插入所述上部体育场式结构的所述额外第一阶梯式结构与所述下部体育场式结构的所述第二阶梯式结构之间； 介电质填充沟槽，其水平地平行延伸穿过所述上部体育场式结构的至少一部分并进入所述顶峰区域，所述介电质填充沟槽竖直地延伸穿过并物理地分离所述层次中的一些层次的所述导电结构，以限定所述堆叠结构的所述块中的每一个块中的上部选择栅极； 在所述堆叠结构的所述块中的一或多个块的至少所述顶峰区域内形成至少一个额外介电质填充沟槽，所述至少一个额外介电质填充沟槽在所述块中的所述一或多个块的水平边界内的两个所述介电质填充沟槽之间水平地延伸且部分地重叠所述两个所述介电质填充沟槽。

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