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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利用于形成量子位的结制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114747030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080079223.5，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权用于形成量子位的结制造方法是由V·阿迪加;B·威莫尔;K·福格尔;M·桑德伯格设计研发完成，并于2020-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于形成量子位的结制造方法在说明书摘要公布了：一种制造用于超导量子位的约瑟夫逊结的方法包括：提供具有表面的子结构500，在其中限定有彼此垂直的第一沟槽和第二沟槽306和308。方法还包括：蒸镀第一超导材料700以在第一沟槽中沉积第一超导材料，以及蒸镀第二超导材料701以在第一沟槽中沉积第二超导材料，以形成第一引线710；以及在第一超导材料和第二超导材料上形成氧化层800。方法包括：以基本上垂直于子结构的表面502的角度蒸镀第三超导材料900，以在不旋转子结构的情况下在第二沟槽中沉积第三超导材料，以形成第二引线910。在第一沟槽和第二沟槽的相交处形成通过第一引线和第二引线被电连接的竖直的约瑟夫逊结。

本发明授权用于形成量子位的结制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造用于超导量子位的约瑟夫逊结的方法，包括： 提供其中限定有第一沟槽和第二沟槽的具有表面的子结构，所述第一沟槽基本上垂直于所述第二沟槽并与其相交，所述子结构具有与所述第一沟槽和所述第二沟槽的所述相交相邻的在所述第一沟槽上方延伸的桥结构； 沿第一方向以掠射角蒸镀第一超导材料，以在所述第一沟槽中沉积所述第一超导材料，以便从所述第一方向在所述桥结构下方延伸； 与所述第一方向基本上相反地基本上以所述掠射角蒸镀第二超导材料，以在所述第一沟槽中沉积所述第二超导材料，以便与所述第一方向基本上相反地从所述掠射角在所述桥结构下方延伸，并提供第一超导引线； 氧化所述第一超导材料和所述第二超导材料，以至少在所述第一沟槽内在所述第一超导材料和所述第二超导材料上形成氧化层； 以基本上垂直于所述子结构的所述表面的角度蒸镀第三超导材料，以在不旋转所述子结构的情况下在所述子结构内在所述第二沟槽中沉积所述第三超导材料，以形成第二超导引线；以及 剥离所述沉积的第一超导材料、第二超导材料和第三超导材料和所述氧化层的区域，以在所述第一沟槽和所述第二沟槽的所述相交处留下竖直的约瑟夫逊结，所述竖直的约瑟夫逊结在其第一端通过所述第一超导引线被电连接，并且在其第二端通过所述第二超导引线被电连接。

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