长江存储科技有限责任公司卢峰获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725204B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210331602.X，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统是由卢峰;霍宗亮;周文斌;杨子晋;魏健蓝设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统，半导体结构包括基底、堆叠结构以及栅缝隙结构，其中，堆叠结构设置于基底上，包括多个栅极结构以及将多个栅极结构电隔离的绝缘层，多个栅极结构沿平行于基底的第一方向延伸，且栅极结构的材料包括金属硅化物，栅缝隙结构沿垂直于基底的纵向穿过堆叠结构而延伸至基底中，并沿平行于基底且垂直于第一方向的第二方向延伸，且其中，绝缘层还位于栅缝隙结构和多个栅极结构之间，本发明提供的半导体结构，通过使用金属硅化物作为栅极结构的材料，代替了通过置换工艺制备的栅极结构，从而有效地避免了置换工艺中产生的氟在后续工艺中对半导体结构造成损伤。
本发明授权半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 基底； 堆叠结构，设置于所述基底上，包括多个栅极结构以及将多个所述栅极结构电隔离的绝缘层，其中，多个所述栅极结构沿平行于所述基底的第一方向延伸，且所述栅极结构的材料包括金属硅化物；以及， 栅缝隙结构，沿垂直于所述基底的纵向穿过所述堆叠结构而延伸至所述基底中，并沿平行于所述基底且垂直于所述第一方向的第二方向延伸； 其中，所述绝缘层还位于所述栅缝隙结构和多个所述栅极结构之间； 所述栅缝隙结构的材料包括多晶硅和钨其中至少之一。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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