北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所徐士猛获国家专利权
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龙图腾网获悉北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种可选择性晶圆定向凸点制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724966B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210368568.3，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权一种可选择性晶圆定向凸点制备方法是由徐士猛;王勇;林鹏荣;谢晓辰;姜学明;谢爽设计研发完成，并于2022-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可选择性晶圆定向凸点制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体封装领域，公开了一种可选择性晶圆定向凸点制备方法，先采用全开孔助焊剂涂覆网板在晶圆上完成助焊剂涂覆，随后根据晶圆中测结果或用户要求，完成KGD芯片或指定凸点制备区开孔的树脂薄膜3D打印，随后将树脂薄膜与UV键合膜贴合，按照植球网板定位孔将薄膜黏附在植球网板背面，随后完成晶圆落球、焊球回收与晶圆回流。在进行下一片晶圆凸点制备前，采用紫外灯完成晶圆背面UV照射与薄膜解键合，重复上述过程完成下一片晶圆凸点制备。本发明能够通过双层落球网板方法实现仅中测合格KDG芯片或用户指定芯片凸点制备，极大降低生产成本，提高成品率和可靠性；该方法也可实现单一晶圆不同成分不同直径凸点制备，工艺简单，灵活度高。
本发明授权一种可选择性晶圆定向凸点制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可选择性晶圆定向凸点制备方法，其特征在于：包括以下步骤， 1在晶圆1表面制备钝化层2，焊盘表面制备金属化层3，在金属化层3表面涂覆助焊剂，金属化层3位置为植球区； 2制作双层网板； 2.1在对应植球区位置为全部开有第一漏孔的上层基体4涂覆助焊剂；制作指定植球区开有第二漏孔的下层基体5； 2.2将下层基体5与上层基体4连接，得到双层网板； 3将双层网板的下层基体5置于晶圆1的金属化层3表面，将焊球6置于双层网板表面，焊球6从第一漏孔和第二漏孔落到金属化层3位置，完成焊球6漏置，得到落球后的晶圆1； 4对落球后的晶圆1进行回流，焊球6焊接于晶圆1上形成凸点，完成焊球6与晶圆1的焊接； 5重复步骤3-4，完成不同指定植球区的晶圆1与焊球6的焊接。
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