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龙图腾网获悉西安航天民芯科技有限公司申请的专利一种用于高性能电源管理带限流功能的稳压电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114710032B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210435903.7，技术领域涉及：H02M3/156；该发明授权一种用于高性能电源管理带限流功能的稳压电路是由董磊;孙权;夏雪;王勇;袁婷设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于高性能电源管理带限流功能的稳压电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于高性能电源管理带限流功能的稳压电路，其包含限流级、放大级、缓冲级以及输出级；放大级的输出端为缓冲级的输入端，缓冲级的输出端为输出级的输入端，输出级的输出端经过分压电阻后连接到放大级的一端输入，放大级的另一端输入为外部基准电压，限流级的输出端连接到缓冲级的输入端。本发明利用反馈环路，实现稳定的低电压输出。在电源管理电路中，当电源电压为高压时，本发明的稳压电路可产生稳定的低压输出为其余模块提供电源电压，从而减小芯片尺寸，精简结构。

本发明授权一种用于高性能电源管理带限流功能的稳压电路在权利要求书中公布了：1.一种用于高性能电源管理带限流功能的稳压电路，其特征在于，包含四级，分别为限流级，放大级，缓冲级以及输出级，放大级的输出端为缓冲级的输入端，缓冲级的输出端为输出级的输入端，输出级的输出端经过分压电阻后连接到放大级的一端输入，放大级的另一端输入为外部基准电压，限流级的输出端连接到缓冲级的输入端,限流级包含提供压降的P型MOS管MP7、MP8、MP9，三极管Q1和Q2以及偏置电流I1、I2，P型MOS管MP7的源极接电源VDD，栅极和漏极连接，P型MOS管MP8的栅极和漏极连接，源极接MP7的栅极和漏极，P型MOS管MP9的栅极和漏极连接，源极接MP8的栅极和漏极，P型MOS管MP9的栅极和漏极接偏置电流源I1，并与三极管Q的基极连接，三极管Q1的集电极接电源VDD，发射极接偏置电流I2，并于三极管Q2的基极连接，三极管Q2的集电极接电源VDD，发射极接X端；放大级包含输入对管P型MOS管MP1、MP2，用于镜像电流的P型MOS管MP3、MP4，N型MOS管MN1、MN2、MN5、MN6以及偏置电流I4、I5，用于减小沟道调制效应的N型MOS管MN3、MN4；放大级包含输入对管P型MOS管MP1、MP2及偏置电流I3，用于镜像电流的P型MOS管MP3、MP4，N型MOS管MN1、MN2、MN5、MN6以及偏置电流I4、I5，用于减小沟道调制效应的N型MOS管MN3、MN4，P型MOS管MP1的源极与MP2的源极相连接，并与偏置电流源I3相连接，P型MOS管MP1的栅极接反馈电压Vfb，漏极与N型MOS管MN2的漏极连接，与N型MOS管MN3的源极连接，P型MOS管MP2的栅极接外部基准电压VREF，漏极与N型MOS管MN5的漏极连接，与N型MOS管MN4的源极连接，N型MOS管MN4的栅极与MN3的栅极连接，与外部偏置电压Vb相连接，P型MOS管MP3的源极接电源VDD，栅极与漏极相连接，并与N型MOS管MN3的漏极连接，P型MOS管MP4的源极接电源VDD，栅极与MP3的栅极连接，漏极与N型MOS管MN4的漏极连接，并与X端连接，N型MOS管MN1的栅极与漏极连接，并与电源VDD之间连接偏置电流I4，N型MOS管MN6的栅极与漏极连接，并与电源VDD之间连接偏置电流I5；缓冲级包含偏置电流I6以及P型MOS管MP5，所述的缓冲级包含缓冲管P型MOS管MP5以及与电源VDD之间连接的偏置电流源I6，P型MOS管MP5的基极接X端，漏极接偏置电流I6，漏极接地。

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