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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利存储器及存储器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210468715.4，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权存储器及存储器的形成方法是由李冰寒设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器及存储器的形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器及存储器的形成方法，存储器包括：衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区两侧，且所述第二区位于第一区和第三区之间；位于衬底第二区上的浮栅极结构；位于浮栅极结构上的第一侧墙；位于浮栅极结构侧壁的第一栅极结构，所述第一栅极结构与所述浮栅极结构电连接；位于所述第一栅极结构表面的介质结构；位于所述介质结构表面的源线结构，所述源线结构还位于所述第一区表面；位于第三区上的字线栅极结构。所述存储器的性能得到提升。

本发明授权存储器及存储器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区、第二区、第三区和第四区，所述第二区位于第一区两侧，所述第三区位于第二区和第四区之间，且所述第二区位于第一区和第三区之间，所述衬底上具有浮栅极结构材料层和位于浮栅极结构材料层上的擦除栅极结构材料层； 在擦除栅极结构材料层上形成掩膜结构，所述掩膜结构内具有第一开口，所述第一开口暴露出所述第一区上和第二区上的擦除栅极结构材料层顶部表面； 在第一开口侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙位于所述第二区上的擦除栅极结构材料层顶部表面； 以所述第一侧墙和掩膜结构为掩膜，去除所述第一开口底部的部分擦除栅极结构材料层和浮栅极结构材料层，形成初始擦除栅极结构和初始浮栅极结构，并形成位于初始擦除栅极结构侧壁表面的隔离结构以及位于隔离结构表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构位于所述初始浮栅极结构上并与所述初始浮栅极结构电连接； 在所述第一栅极结构表面形成介质结构和位于介质结构表面的源线结构，所述源线结构还位于所述第一区表面； 形成源线结构之后，去除所述第三区上和第四区上的掩膜结构、初始擦除栅极结构和初始浮栅极结构，在第二区形成擦除栅极结构和浮栅极结构； 在第三区上形成字线栅极结构。

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