苏州能讯高能半导体有限公司李元获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011629130.3，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由李元;裴轶;徐广泽设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区以及围绕有源区的非有源区；半导体器件还包括：衬底；位于衬底一侧的多层半导体层；位于衬底一侧的至少一个屏蔽结构，屏蔽结构与预设电位电连接，用于形成所述有源区指向所述非有源区的电场或零电场。本发明实施例的技术方案，通过设置屏蔽结构，同时屏蔽结构与预设电位电连接，从而可以形成有源区指向非有源区的电场或零电场，有效屏蔽银离子，抑制其迁移至半导体芯片正面中心区域，得到性能稳定的半导体器件。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：有源区以及围绕所述有源区的非有源区； 所述半导体器件还包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的多层半导体层； 位于所述衬底一侧的至少一个屏蔽结构，所述屏蔽结构与预设电位电连接，用于形成所述有源区指向所述非有源区的电场或零电场； 所述非有源区包括二维电子气消除区，所述屏蔽结构和所述有源区之间间隔所述二维电子气消除区；所述多层半导体层包括位于所述非有源区的导电区和二维电子气消除区，所述二维电子气消除区位于所述导电区与所述有源区之间，所述导电区作为所述屏蔽结构，所述导电区为二维电子气形成区或半导体掺杂区，以避免专门设置所述屏蔽结构所占用的空间； 和或， 所述半导体器件还包括位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧的介质层；所述介质层远离所述多层半导体层的一侧设置有至少一条导电走线，所述导电走线作为所述屏蔽结构，以提高屏蔽效果。
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