中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张海洋获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664818B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011541274.3，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张海洋;陈卓凡;刘骁兵设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，栅极结构露出的基底上形成有第一层间介质层，第一层间介质层覆盖栅极结构的顶部；形成贯穿栅极结构之间的第一层间介质层的开口，开口露出源漏掺杂层；在开口内形成底部源漏插塞，底部源漏插塞的顶部低于开口的顶部，且底部源漏插塞的顶部高于栅极结构的顶部；在底部源漏插塞露出的开口侧壁形成刻蚀阻挡层；形成位于相邻刻蚀阻挡层之间且贯穿第一层间介质层的栅极接触孔，栅极接触孔底部露出栅极结构；形成位于相邻刻蚀阻挡层之间且贯穿第二层间介质层的源漏接触孔。通过刻蚀阻挡层提高顶部源漏插塞与底部源漏插塞的对准精度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，所述栅极结构露出的基底上形成有第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖所述栅极结构的顶部； 底部源漏插塞，位于所述栅极结构之间的第一层间介质层中并与所述源漏掺杂层相连，所述底部源漏插塞的顶部低于所述第一层间介质层的顶部且高于所述栅极结构的顶部； 第二层间介质层，贯穿所述底部源漏插塞顶部的所述第一层间介质层； 刻蚀阻挡层，位于所述第二层间介质层的侧壁和所述第一层间介质层之间； 栅极插塞，贯穿相邻所述刻蚀阻挡层之间的所述第一层间介质层，所述栅极插塞的底部与所述栅极结构相连； 顶部源漏插塞，贯穿相邻所述刻蚀阻挡层之间的所述第二层间介质层，所述顶部源漏插塞的底部与所述底部源漏插塞相连。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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