长江存储科技有限责任公司吴林春获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649346B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210125636.3，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储器及其制造方法是由吴林春;张坤;周文犀;吴双双;孔翠翠;夏志良设计研发完成，并于2022-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种三维存储器及其制造方法，所述方法包括：在衬底上依次形成第一半导体层和堆叠结构；形成贯穿所述堆叠结构、所述第一半导体层、且底部停留在所述衬底内的第一通孔；对所述第一通孔侧壁显露的所述第一半导体层执行第一氧化处理，形成第一氧化层；其中，沿所述第一通孔的径向，所述第一氧化层向所述第一通孔的轴心凸起；填充形成有所述第一氧化层的第一通孔，形成功能层；填充形成有所述功能层的第一通孔，形成沟道层；其中，所述沟道层与所述第一氧化层之间通过所述功能层间隔，所述沟道层的底部位于所述第一半导体层之上；去除所述衬底、所述第一氧化层以及部分所述功能层，以显露所述沟道层的底部。
本发明授权三维存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次形成第一半导体层和堆叠结构； 形成贯穿所述堆叠结构、所述第一半导体层、且底部停留在所述衬底内的第一通孔； 对所述第一通孔侧壁显露的所述第一半导体层执行第一氧化处理，形成第一氧化层；其中，沿所述第一通孔的径向，所述第一氧化层向所述第一通孔的轴心凸起； 填充形成有所述第一氧化层的第一通孔，形成功能层； 填充形成有所述功能层的第一通孔，形成沟道层；其中，所述沟道层与所述第一氧化层之间通过所述功能层间隔，所述沟道层的底部位于所述第一半导体层之上； 去除所述衬底、所述第一氧化层以及部分所述功能层，以显露所述沟道层的底部。
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