苏州汉天下电子有限公司丁焱昆获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州汉天下电子有限公司申请的专利半导体器件结构和滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210083664.3，技术领域涉及：H10D1/20；该发明授权半导体器件结构和滤波器是由丁焱昆;赖志国;杨清华设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件结构和滤波器在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体器件结构和滤波器，其中所述半导体器件结构包括：第一衬底，所述第一衬底上形成有至少一个半导体器件；第二衬底，与所述第一衬底键合连接，所述第一衬底与所述第二衬底之间形成有空腔，所述第二衬底朝向所述第一衬底的一侧形成有至少一层第一电感层，每层所述第一电感层中形成有至少一个第一电感器，并且所述第一电感器形成在所述空腔内或所述第二衬底上，所述半导体器件与所述第一电感器电连接。
本发明授权半导体器件结构和滤波器在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括： 第一衬底，所述第一衬底上形成有至少一个谐振器； 第二衬底，与所述第一衬底键合连接，所述第一衬底与所述第二衬底之间形成有第一空腔，所述第二衬底朝向所述第一衬底的一侧形成有至少一层第一电感层，每层所述第一电感层中形成有至少一个第一电感器，并且所述第一电感器形成在所述空腔内或所述第二衬底上，所述谐振器与所述第一电感器电连接； 至少一个第三衬底，所述第三衬底与第二衬底之间形成有第二空腔，最靠近所述第二衬底的第三衬底与所述第二衬底键合连接，且各个相邻的第三衬底之间键合连接，各个相邻的第三衬底之间以及最靠近所述第二衬底的第三衬底与所述第二衬底之间均形成有至少一层第二电感层，每层所述第二电感层中形成有至少一个第二电感器，并且最靠近所述第二衬底的第三衬底与所述第二衬底之间的第二电感器与所述第一电感器或者所述谐振器电连接，所述第二电感层形成在所述第二空腔内； 所述第二衬底内和至少一个所述第三衬底内均掺杂有金属元素。
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