爱思开海力士有限公司徐京范获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利用于制造半导体封装件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110409948.2，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权用于制造半导体封装件的方法是由徐京范;文钟奎;朴钟爀;罗松设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造半导体封装件的方法在说明书摘要公布了：公开了一种用于制造半导体封装件的方法。使用具有上套和下套的压模机。将模制底部填充MUF材料分配在模腔的底表面上以形成具有蛇形形状的第一分配图案。其上安装有晶片层叠物的基底基板被装载在上套上。晶片层叠物插入其中的模腔是闭合的，并且MUF材料在晶片层叠物之间流动以浸渍晶片层叠物。
本发明授权用于制造半导体封装件的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过使用具有提供模腔的上套和下套的压模机制造半导体封装件的方法，该方法包括以下步骤： 在所述模腔的底表面上分配模制底部填充MUF材料以形成具有蛇形形状的第一分配图案； 将基底基板装载在所述上套上，所述基底基板上安装有晶片层叠物；以及 闭合所述模腔并使所述MUF材料浸渍所述晶片层叠物以将所述MUF材料模制为MUF层， 其中，所述第一分配图案包括： 第一线性部分，所述第一线性部分穿过所述模腔的所述底表面的与所述晶片层叠物交叠的多个晶片层叠物交叠区域当中的第一行的晶片层叠物交叠区域； 第二线性部分，所述第二线性部分穿过所述晶片层叠物交叠区域当中的第二行的晶片层叠物交叠区域；以及 折叠部分，所述折叠部分连接所述第一线性部分和所述第二线性部分。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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