中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司何作鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334800B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011061147.3，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由何作鹏;杨明;卑多慧设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成图形记忆层，图形记忆层开设有延伸方向互相平行的第一沟槽，第二沟槽和第三沟槽，第一沟槽，第二沟槽以及第三沟槽采用不同的光罩形成；形成核心材料层，核心材料层填充第一沟槽，第二沟槽以及第三沟槽；图形化核心材料层，形成核心层，核心层开设有隔离开口；填充隔离开口形成隔离层，隔离层的顶部与核心层的顶部齐平；去除核心层，形成第四沟槽，第四沟槽对应金属互连层。由于多道第一沟槽，第二沟槽以及第三沟槽的切断可以在同一工艺步骤完成，方法即使在图形尺寸接近设备参数极限的情况下，也能够实现后端加工工艺中对更小尺寸的图形的加工。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括金属互连层； 在所述基底上形成图形记忆层，所述图形记忆层开设有第一沟槽，第二沟槽以及第三沟槽，所述第一沟槽的延伸方向、所述第二沟槽的延伸方向和第三沟槽的延伸方向相互平行，且所述第一沟槽，所述第二沟槽以及所述第三沟槽采用不同的光罩形成； 形成核心材料层，所述核心材料层填充所述第一沟槽，所述第二沟槽和所述第三沟槽； 图形化所述核心材料层，形成核心层，所述核心层开设有隔离开口； 填充所述隔离开口形成隔离层，所述隔离层的顶部至少与所述核心层的顶部齐平； 去除所述核心层，形成第四沟槽，所述第四沟槽对应所述金属互连层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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