郑州炜盛电子科技有限公司古瑞琴获国家专利权
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龙图腾网获悉郑州炜盛电子科技有限公司申请的专利硒化铅光敏薄膜及可集成光电导传感器的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114284152B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111568256.9,技术领域涉及:H10P14/26;该发明授权硒化铅光敏薄膜及可集成光电导传感器的制备方法是由古瑞琴;高胜国;汪静;郭海周;杨志博设计研发完成,并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本硒化铅光敏薄膜及可集成光电导传感器的制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种硒化铅光敏薄膜的制备方法,包括步骤:以可溶性铅盐、强碱、硒源和可溶性卤盐为原料,采用化学浴法在衬底上沉积形成卤素掺杂的硒化铅薄膜,制得铅盐薄膜基片;采用氧化剂溶液对所述卤素掺杂的硒化铅薄膜进行化学氧化,制得氧化薄膜基片,其中,所述氧化剂溶液为H2O2溶液或K2S2O8溶液;采用卤素混合气体对所述氧化薄膜基片进行敏化处理使得所述衬底上形成硒化铅光敏薄膜;其中,所述卤素混合气体为卤气与N2或O2的混合气体。由上述方法制备的硒化铅光敏薄膜能够提高其光电灵敏度、响应速度快和分辨率高,有效延长使用寿命。另外,本发明还提供一种利用上述硒化铅光敏薄膜制备可集成光电导传感器的方法。
本发明授权硒化铅光敏薄膜及可集成光电导传感器的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种硒化铅光敏薄膜的制备方法,包括步骤: 制备铅盐薄膜基片:以可溶性铅盐、强碱、硒源和可溶性卤盐为原料,采用化学浴法在衬底上沉积形成卤素掺杂的硒化铅薄膜,制得铅盐薄膜基片;其中,所述可溶性铅盐、强碱、硒源和可溶性卤盐的摩尔比为1:5~15:0.5~3.5:0.1~1,所述可溶性卤盐为氯化钾、氯化钠、溴化钾或溴化钠; 氧化处理:采用浓度为1×10-3~1×10-2molL的氧化剂溶液对所述卤素掺杂的硒化铅薄膜进行化学氧化处理10~60min,使所述卤素掺杂的硒化铅薄膜的表层被氧化形成PbO和PbOxSe1-x的混合物,且x为0.1~0.5,从而在所述衬底上形成氧化硒化铅薄膜,制得氧化薄膜基片;其中,所述氧化剂溶液为H2O2溶液或K2S2O8溶液; 高温敏化处理:将所述氧化薄膜基片置于250℃~500℃的退火炉中,通入卤素混合气体敏化处理20~90min,在所述衬底上形成硒化铅光敏薄膜;其中,所述卤素混合气体为卤气与N2或O2的混合气体,且其中的卤气与N2或O2的体积比为0.1:10~2:1。
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