日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111371454.6，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权半导体封装结构及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，将第二电子元件键合至重布线层上的过程中，先将第二电子元件上的焊料与所述重布线层的焊盘处于非对准状态，再进行回焊处理时，由于焊料的内聚力使第二电子元件靠近第一电子元件，直至第二电子元件的侧壁贴附第一电子元件的侧壁，因此第一电子元件与第二电子元件之间不存在间隙，两者之间也不会有底部填充材，由刚性较高的第二电子元件取代两者的间隙位置，由此克服热应力所导致的断裂问题。
本发明授权半导体封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构的制造方法，其包括多个步骤： 步骤1：提供晶圆，在晶圆的一侧设置粘合层，在晶圆的另一侧依次设置绝缘层、种子层以及第一桥接线路； 步骤2：对晶圆进行切割，形成多个晶粒，得到多个桥接芯片； 步骤3：提供基板，在基板中形成凹部，拾取桥接芯片，放置于基板的凹部中，将第二填充材填充于凹部与桥接芯片之间； 步骤4：在基板上形成重布线层，将第一电子元件焊接至重布线层上， 将具有第一互连结构的第二电子元件放置于重布线层的上方， 并使第一互连结构与重布线层的焊盘处于非对准状态； 步骤5：回焊处理，使第二电子元件对齐键合于重布线层的焊盘，以及 使第二电子元件向靠近第一电子元件的方向上移动，直至第一电子元件的侧壁与第二电子元件的侧壁接触；以及 步骤6：将第一填充材填充于第一电子元件、第二电子元件以及重布线层之间，得到半导体封装结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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