日月光半导体制造股份有限公司方绪南获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111187413.1，技术领域涉及：H10W70/652；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由方绪南设计研发完成，并于2021-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一电子元件；第二电子元件，设置在第一电子元件上，第二电子元件的宽度小于第一电子元件的宽度，第一电子元件上未被第二电子元件覆盖的区域设置有导电垫，导电垫上设置有第一线路层，导电垫和第一线路层之间存在接合区域。该半导体封装装置能够利用第一线路层将第一电子元件内的电信号导出，无需在第一电子元件上直接制作导电柱，有利于提高产品良率。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置的制造方法，包括： 将第一电子元件和第二电子元件直接键合，其中，所述第二电子元件的宽度小于所述第一电子元件的宽度； 提供虚设芯片，其中，所述虚设芯片上设置有导电柱；将虚设芯片倒装焊至所述第一电子元件上未被所述第二电子元件覆盖的区域； 在所述第一电子元件上未被所述第二电子元件覆盖的区域设置预制完成的第一线路层，其中，对所述虚设芯片连同第二电子元件进行研磨，去除所述虚设芯片以暴露第一线路，所述第一线路层的厚度大于或者等于所述第二电子元件的厚度； 在所述第一线路层上形成第二线路层，以得到半导体封装装置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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