中国科学院微电子研究所邢国忠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利自旋电子器件、存储单元、存储阵列和读写电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038991B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111195175.9，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权自旋电子器件、存储单元、存储阵列和读写电路是由邢国忠;王迪;刘龙;林淮;刘明设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本自旋电子器件、存储单元、存储阵列和读写电路在说明书摘要公布了：本公开提供了一种自旋电子器件，应用于集成技术领域，包括：底电极，自旋轨道耦合层，设置在所述底电极上，至少一对磁性隧道结，设置在所述自旋轨道耦合层上，每个所述磁性隧道结包括由下而上依次设置的自由层、隧穿层和参考层，每对所述磁性隧道结的两个磁性隧道结的参考层磁化方向相反，顶电极，设置在每个所述磁性隧道结的参考层上。本公开还公开了一种存储单元、存储阵列和读写电路。
本发明授权自旋电子器件、存储单元、存储阵列和读写电路在权利要求书中公布了：1.一种自旋电子器件，其特征在于，包括： 底电极； 自旋轨道耦合层，设置在所述底电极上； 至少一对磁性隧道结，设置在所述自旋轨道耦合层上，每个所述磁性隧道结包括由下而上依次设置的自由层、隧穿层和参考层，每个所述磁性隧道结的结构均为弦型结构，每个所述磁性隧道结的直线边与所述自旋轨道耦合层的长度方向的轴线形成预设夹角，每对所述磁性隧道结的两个磁性隧道结的参考层磁化方向相反； 顶电极，设置在每个所述磁性隧道结的参考层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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