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龙图腾网获悉住友电气工业株式会社申请的专利用于制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130302B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110019174.2，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权用于制造半导体器件的方法是由渡边整;平崎贵英设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及用于制造半导体器件的方法。该用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂膜，并且在第一光致抗蚀剂膜上形成与第一光致抗蚀剂膜比具有更高的酸度的第二光致抗蚀剂膜；通过使第一光致抗蚀剂膜和第二光致抗蚀剂膜图案化来形成用于暴露半导体衬底的表面的开口；对第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部涂布收缩材料，并且通过对第一光致抗蚀剂膜、第二光致抗蚀剂膜和收缩材料进行热处理来在开口的内部使收缩材料和第二光致抗蚀剂膜起反应；以及去除第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部的未与第二光致抗蚀剂膜起反应的未反应的收缩材料。

本发明授权用于制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤： 在半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂膜，并且在所述第一光致抗蚀剂膜上形成具有比所述第一光致抗蚀剂膜高的酸度的第二光致抗蚀剂膜； 通过使所述第一光致抗蚀剂膜和所述第二光致抗蚀剂膜图案化来形成用于暴露所述半导体衬底的表面的开口； 对所述第二光致抗蚀剂膜的上表面和所述开口的内部涂布收缩材料，并且通过对所述第一光致抗蚀剂膜、所述第二光致抗蚀剂膜和所述收缩材料进行热处理，来在所述开口的内部使所述收缩材料和所述第二光致抗蚀剂膜起反应以形成由所述反应生成的收缩膜，而所述收缩材料与所述第一光致抗蚀剂膜不起反应；以及 去除所述第二光致抗蚀剂膜的上表面和所述开口的内部的未与所述第二光致抗蚀剂膜起反应的未反应的所述收缩材料， 其中 所述收缩材料包括聚乙烯醇， 所述第一光致抗蚀剂膜和所述第二光致抗蚀剂膜包括酚醛清漆树脂， 所述第一光致抗蚀剂膜和所述第二光致抗蚀剂膜还包括乳酸乙酯，并且 所述第二光致抗蚀剂膜中的乳酸乙酯的重量浓度是所述第一光致抗蚀剂膜中的乳酸乙酯的重量浓度的5倍或以上。

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