三星电子株式会社李炅奂获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112018120B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010465503.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维半导体存储器件是由李炅奂;金容锡;金森宏治;申旼翰设计研发完成，并于2020-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器件在说明书摘要公布了：提供了三维半导体存储器件。一种三维半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括在衬底上的栅电极。该三维半导体存储器件包括穿透堆叠结构并沿第一方向以Z字形形状顺序布置的第一垂直结构、第二垂直结构、第三垂直结构和第四垂直结构。此外，该三维半导体存储器件包括在第一方向上延伸的第一位线。第一位线垂直地重叠第二垂直结构和第四垂直结构。第二垂直结构的中心和第四垂直结构的中心以相同的距离与第一位线间隔开。第一垂直结构以第一距离与第一位线间隔开。第三垂直结构以第二距离与第一位线间隔开。
本发明授权三维半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器件，包括： 堆叠结构，在衬底上并且包括多个栅电极； 第一垂直结构、第二垂直结构、第三垂直结构、第四垂直结构和第九垂直结构，穿透所述堆叠结构并且沿第一方向以Z字形形状顺序地布置； 第一位线，在所述第一方向上延伸；以及 第五位线，在所述第一方向上延伸， 其中所述第一位线垂直地重叠所述第二垂直结构和所述第四垂直结构，所述第二垂直结构的中心和所述第四垂直结构的中心以相同的距离与所述第一位线间隔开， 其中所述第五位线垂直地重叠所述第一垂直结构、所述第三垂直结构和所述第九垂直结构， 其中所述多个栅电极包括在所述第一方向上间隔开的第一串选择栅电极和第二串选择栅电极， 其中所述第一垂直结构、所述第二垂直结构、所述第三垂直结构、所述第四垂直结构和所述第九垂直结构穿透所述第一串选择栅电极， 其中所述第一垂直结构和所述第九垂直结构以第一距离与所述第一位线间隔开，并且所述第三垂直结构在所述第一方向上位于所述第一垂直结构和所述第九垂直结构之间， 其中所述第三垂直结构以第二距离与所述第一位线间隔开，以及 其中所述第一距离大于所述第二距离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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